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論文

Experimental investigation of the glass transition of polystyrene thin films in a broad frequency range

井上倫太郎*; 金谷利治*; 山田武*; 柴田薫; 深尾浩次*

Physical Review E, 97(1), p.012501_1 - 012501_6, 2018/01

https://doi.org/10.1103/PhysRevE.97.012501

被引用回数：9 パーセンタイル：62.54(Physics, Fluids & Plasmas)

本研究では、非弾性中性子散乱(INS),誘電緩和分光法(DRS),熱膨張分光法(TES)を用いたポリスチレン薄膜の過程を調べた。DRSおよびTES測定は、フィルムの厚さとともにガラス転移温度( $T_{rm g}$ )の低下を示した。一方、INS測定ではTgの上昇が認められた。この矛盾を解明するために、我々は、DRSとTESによって測定された過程のピーク周波数( $f_{rm m}$ )の温度依存性を調べた。実験では、測定周波数領域で膜厚が減少するにつれてピーク周波数( $f_{rm m}$ )が増加することが明らかになった。この測定結果は、膜厚に伴う観察されたTgの減少と一致する。INSとDRSまたTESとの間の過程の説明の相違は、不透明な壁効果のために、膜厚および移動度の低下による見掛けの活性化エネルギーの低下に起因すると考えられる。

報告書

プラズマ溶射によって形成されたアルミナ電気絶縁コーティング膜の繰り返し衝撃荷重に対する耐久性

金成守康*; 阿部哲也; 榎枝幹男; 豊田真彦*; 馬越俊光*; 清水克祐*; 森順二*; 高津英幸

JAERI-Research 98-029, 23 Pages, 1998/06

JAERI-Research-98-029.pdf:2.51MB

プラズマ溶射によってステンレス鋼基材上にNi-Cr中間層を介し形成されたアルミナ電気絶縁コーティング膜(アルミナ膜)の繰り返し衝撃荷重(638MPa)に対する電気絶縁耐久性(耐電圧1kV)を、アルミナ平端面の接触を伴う落錘試験を用いて評価した。繰り返し衝撃荷重に対するアルミナ膜の電気絶縁耐久性は、70,000回以上だった。絶縁破壊に至るまでのアルミナ膜の経時変化を調べるために、所定の回数だけ落錘試験を行った試料について、アルミナ膜表面及び断面のSEM観察を行った。その結果、アルミナ膜厚は、落錘試験開始時228mであったが、衝撃回数に比例して直線的に減少し、その速度は2.43nm/回だった。絶縁破壊時のアルミナ膜厚は落錘試験開始時の約21%であり(約50m)、その断面はアルミナ膜とNi-Cr中間層との混在相を示していた。

論文

Experimental study of high-power millimeter wave transmission of sapphire window for electron cyclotron range of frequencies system

春日井敦; 高橋幸司; 坂本慶司; 山本巧; 恒岡まさき; 假家強*; 今井剛

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 36(5A), p.2883 - 2887, 1997/00

https://doi.org/10.1143/JJAP.36.2883

被引用回数：4 パーセンタイル：28(Physics, Applied)

大電力・長パルスジャイロトロンの高周波出力窓としてのサファイアディスクの性能が原研の大電力ジャイロトロンの高周波試験装置を用いて研究された。その誘電損失係数は、ディスク温度300Kから600Kの範囲で、周波数110GHzにおいて1.810 $^{-4}$ (T/300) $^{1.3pm0.1}$ 、170GHzにおいて2.610 $^{-4}$ (T/300) $^{1.3pm0.1}$ が得られた。温度上昇に伴うサファイアディスクの誘電率の変化のため、出力窓での高周波の反射が増加することを実験結果は示し、サファイア窓の透過電力はサファイア窓の熱暴走よりも高周波の反射により制限されていることを示した。さらに、高周波の電力分布を平らにし、かつ直径18cm以上のサファイアダブルディスクを用いた、2ボートのジャイロトロンにすれば、170GHz-1MW-連続ジャイロトロンは製作可能であることを示した。

報告書

高速誘電加熱ゲル化装置用に試作した鉛直方向電界型空洞共振器の性能試験

山岸滋; 長谷川篤司*; 小川徹

JAERI-Tech 96-026, 21 Pages, 1996/06

JAERI-Tech-96-026.pdf:1.04MB

鉛直方向電界型空洞共振器を試作し、既報の「高速誘電加熱ゲル化装置」に取り付けた。この高速ゲル化装置を用いて、模擬液および内部ゲル化用のウラン含有溶液の液滴を加熱した。結果は、ウラン含有溶液をゲル化させるに必要な加熱が可能であることを示した。しかし、そのゲル化時に空洞共振器内に生ずる電界強度は、加熱液滴から放出されるアンモニアガスのために放電を起す電界強度と同程度であった。そのため、安定した状態でゲル粒子を得ることはできなかった。考察した結果、空洞共振器形状の改良、安定化電源導入を伴う電源改良等により安定したゲル化が可能になることが示唆された。

論文

Effect of filler concentration on electrical conductivity and ultralow-frequency dielectric properties

山中三四郎*; 福田正*; 沢五郎*; 家田正之*; 伊藤政幸; 瀬口忠男

IEEE Trans. Dielect. Elect. Insul., 2(1), p.54 - 61, 1995/02

https://doi.org/10.1109/94.368680

被引用回数：12 パーセンタイル：67.7(Engineering, Electrical & Electronic)

電線絶縁材料としてのエチレンプロピレンゴム(EPR)の照射劣化について、EPRに添加する充填材の濃度の影響を電気伝導度と超低周波分極の測定から解析した。これらの特性はEPRと充填材の界面に捕捉される電荷の挙動に依存するというモデルで解析できた。

報告書

高速誘電加熱ゲル化装置の開発

山岸滋; 長谷川篤司*; 小川徹

JAERI-Tech 94-010, 33 Pages, 1994/07

JAERI-Tech-94-010.pdf:1.26MB

セラミック燃料微小球製造法の一つである内部ゲル化法においては、原液中にヘキサメチレンテトラミン(HMTA)を前もって混合しておき、その球状液滴を加熱して、HMTAの熱分解によりアンモニアを発生させ均一にゲル化させる。この加熱のために、液滴が加熱部中に落下する短時間の間に高周波誘電加熱により温度を約80K上昇させ得る高速ゲル化装置を開発した。電源には、工業用に指定されている周波数(2.45GHz)のマイクロ波を用いる市販の誘電加熱用電源に若干の改造を加えたものを使用した。本装置を用いてU含有微小ゲル球の調整が可能であることを実証した。

論文

Feasibility study of silicon surface barrier detector as charged particle identifier

神野郁夫

Journal of Nuclear Science and Technology, 28(11), p.1061 - 1064, 1991/11

https://doi.org/10.3327/jnst.28.1061

これまで、シリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)の残余損失は、(1)重イオンによって生成されたプラズマ柱が誘電体の性質を持つことから理論的に導出できること、(2)この誘電体効果モデルにより残余損失の実験結果が明瞭に説明できること、及び(3)誘電体効果モデルの遮蔽係数がほぼ電子・正孔対密度に比例することを報告して来た。本論文では、SSBを用いた測定において、重イオンのエネルギーのより正確な導出法、SSB内の重イオンの飛程の導出法、及び粒子識別法の提案を行う。この方法で求めた重イオンのエネルギーと飛程は、計算で得られたそれらの値と良い一致を示した。エネルギーと飛程とから陽子数、質量数を求める方法を確立することにより、SSBを荷重粒子識別検出器として用い得る可能性があめる。

論文

Incident angle dependence of residual defect in silicon surface barrier detector

神野郁夫; 池添博; 大槻勤*; 林修平*; 金沢哲*; 木村逸郎*

Journal of Nuclear Science and Technology, 28(6), p.582 - 584, 1991/06

https://doi.org/10.3327/jnst.28.582

シリコン表面障壁型半導体検出器(SSB)の残余損失について、101.7MeVおよび133.9MeVの $^{58}$ Niイオン、129.8MeVの $^{127}$ Iイオンを用いて実験を行った。133.9MeVの $^{58}$ Niイオンについては、SSBへの入射角度を0、30、45、60度と変化させて、残余損失の入射角度依存性を研究した。使用したSSBの比抵抗は、362cm、1500cmおよび2100cmであった。実験結果は、誘電体効果モデルで解析された。( $^{127}$ Iおよび101.7MeVの $^{58}$ Niイオンについては、入射角度0度のみ測定した)解析の結果、角度を持って入射したイオンの場合、プラズマ柱の長さが射影された長さ、プラズマ柱内部の電子・正孔対密度が余弦の逆数倍された密度を見做すことにより、よく理解されることがわかった。

報告書

Data Compilation for Radiation Effects on Ceramic Insulators

福谷耕司*; 小沢国夫; 寺沢倫孝*; 中東重雄*

JAERI-M 86-127, 76 Pages, 1986/08

JAERI-M-86-127.pdf:1.48MB

核融合炉においては各種絶縁材料が使用されるがその環境は従来の分裂炉に比較して高線量場であり、温度も極低温から高温までの広範囲にわたる。このため絶縁材料の放射線効果に関しては高速中性子の照射効果の視点に立った現象の解明が目標として採える必要が有る。本報告では、絶縁材料の中からセラミックを中心とする無機絶縁材料を採り上げ、それらの放射線効果について文献データの収集を行なった。収集したデータは、物理的特性で分類した。対象とした特性は、寸法安定性(スエリング)、機械的特性、熱的特性、電気的特性等である。各特性毎に更にセラミックスの種類で分類した。図表データは、データシート化した。また、各特性毎に、データの特徴と現状について簡単に纏めた。

論文

Phase transition and neutron diffuse scattering of{N(CD $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ ZnBr $_{4}$

下司和男; 飯泉仁

Journal of the Physical Society of Japan, 54(11), p.4205 - 4212, 1985/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.54.4205

被引用回数：8 パーセンタイル：61.83(Physics, Multidisciplinary)

{N(CD $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ ZnBr $_{4}$ の相転移を、誘電測定および中性子散乱によって調べた。相転移温度とその圧力係数はそれぞれ14.2 $^{circ}$ C,0.183KMPa $^{-}$ $^{1}$ で、軽水素塩の値と誤差の範囲で変わらなかった。高温相において、b $^{ast}$ -およびc $^{ast}$ -方向に線状にのびる中性子散漫散乱が観測された。散漫散乱の極大は(h,k,l0.4)、(h,k0.5,l)に存在する。(3,0,1.6)における散漫散乱強度は、温度降下と共に増大し、-4.7 $^{circ}$ Cで発散する傾向を示す。他方、(3,1.5,0)における強度の温度変化は小さい。フォノン分岐のソフト化は観測されなかった。

論文

Dielectric properties of several vinyl monomers at high pressure

貴家恒男; 河西俊一; 武久正昭

J.Phys.Chem., 88(15), p.3326 - 3329, 1984/00

700MPaまでの高圧下でビニルモノマーの誘電特性を測定した。基をもつビニルモノマーの誘電率'は200~300MPa附近で急激に増大した。この圧力は圧力~体積(P-V)関係に不連続を与える圧力に対応し、これまで報告した高圧下では平面構造を有するビニルモノマーは短距離に配列するという考えを支持する結果を得た。圧力~'に不連続性を与える圧力はモノマーの化学構造により変化し、基とビニル基との位置関係と密接に関連する。

論文

Phase transitions in monoclinic rubidium tetraiodozincate Rb $_{2}$ ZnI $_{4}$

下司和男

Journal of the Physical Society of Japan, 53(11), p.3850 - 3854, 1984/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.53.3850

被引用回数：11 パーセンタイル：68.56(Physics, Multidisciplinary)

単斜晶Rb $_{2}$ ZnI $_{4}$ の単結晶を育成し、誘電測定によって相転移を調べた。62.4k、7.5kに相転移を示し、b-軸方向の誘電率は、62.4k以上で curie-weiss 則に従うことが分かった。62.4k以下の相で強誘電性は見出されなかった。これまでに報告した他のM $_{2}$ $^{I}$ M $^{I}$ $^{I}$ X $_{4}$ -型ヨウ化物結晶の相転移との比較を行った。

論文

Three dimensional structure of ICRF waves in tokamak plasms

伊藤公孝; 伊藤早苗*; 福山淳*

Nucl.Fnsion, 24(1), p.13 - 31, 1984/00

https://doi.org/10.1088/0029-5515/24/1/002

被引用回数：51 パーセンタイル：80.47(Physics, Fluids & Plasmas)

イオンサイクロトロン周波数帯の波動のトカマク中に於ける伝播を三次元的に求めた。二成分イオンプラズマの密度包配や磁場包配、壁やアンテナの形状を考慮に入れて、波動伝播方程式を直接法により数値的に解いた。波の加熱領域への近接性やアンテナ負荷抵抗のパラメータ依存性を明らかにし、最適なアンテナ設計への条件を明らかにした。

論文

Phase transition in{N(CH $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ MnBr $_{4}$

下司和男

Journal of the Physical Society of Japan, 52(8), p.2931 - 2935, 1983/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.52.2931

被引用回数：40 パーセンタイル：88.69(Physics, Multidisciplinary)

{N(CH $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ MnBr $_{4}$ の単結晶の育成を行い、相転移を誘電測定によって調べた。この結晶は3.5 $^{circ}$ Cに相転移を示し、相転移点は圧力に対して直線的に増大する。相転移点の圧力係数は0.185deg MPa $^{-}$ $^{1}$ で、この値はこれまで報告した{N(CH $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ CoBr $_{4}$ 、{N(CH $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ ZnBr $_{4}$ の値とほぼ等しい。相転移の様相の類似から、{N(CH $_{3}$ ) $_{4}$ } $_{2}$ XBr $_{4}$ (X:Zn,Co,Mn)の相転移に関して共通の機構が考えられる。

論文

放射線・熱の複合劣化を受けたEPRの誘電的・力学的性質

貴家恒男; 瀬口忠男; 荒川和夫; 早川直宏

EIM-82-118, p.19 - 27, 1982/00

基本配合し化学架橋したエチレン-プロピレンゴム(EPR)を120 $^{circ}$ Cで劣化(I)、100Mrad照射後120 $^{circ}$ Cで熱劣化(II)、および120 $^{circ}$ C、0.005Mrad/hrで同時照射(III)によって劣化させ、その機械的特性、粘弾性挙動、誘電特性を測定し相互に比較検討した。(I),(II)の機械的特性は熱劣化初期に改善され、その後破断強度は極小となり、長時間の熱劣化で再び強度が大きくなるという三段階の過程をへて劣化する。あらかじめ100Mrad照射した(II)では第二段以降の劣化が促進され前照射の効果が観測されたばかりではなく、粘弾性、誘電挙動も異なり、劣化したEPRの構造は(I),(II)で異なることが判明した。120 $^{circ}$ C、低線量率で照射した(III)は単に熱劣化した場合とは異なり、熱および放射線による劣化と修復が同時に起きていることが推定され、構造的にも前二者とは異なる。

論文

Dielectric dispersion in a disordered nitrite compound: AgNO $_{2}$ ・NH $_{3}$

下司和男

Ferroelectrics Letters, 44, p.63 - 70, 1982/00

https://doi.org/10.1080/07315178208201876

AgNO $_{2}$ ・NH $_{3}$ では極性イオンNO $_{2}$ $^{-}$ が無秩序に二つの向きを取って分布していることが知られている。このような系では、外部から交流電場を印加することに対して、誘電分散を示すことが期待される。AgNO $_{2}$ ・NH $_{3}$ の単結晶を育成し、a-、c-軸方向の誘電分散を測定した。分散はa-軸方向で著しく、誘電緩和時間の活性化エネルギーは約0.32eVであった。液体ヘリウム温度まで、秩序層への相転移は観測されなかった。

論文

Phase transition in K $_{2}$ SO $_{4}$ at 56K

下司和男; 冨永靖徳*; 占部久子*

Ferroelectrics Letters, 44, p.71 - 75, 1982/00

https://doi.org/10.1080/07315178208201877

被引用回数：12 パーセンタイル：53.58(Physics, Condensed Matter)

K $_{2}$ SO $_{4}$ 単結晶の比熱及び誘電率の測定を、液体ヘリウム温度まで行った。56Kに比熱の小さいピーク及び誘電率の温度係数の変化を伴う相転移を新に見出した。同型の化合物K $_{2}$ SeO $_{4}$ では、低温に於て不整合相強誘電相への相転移が報告されているのに対し、K $_{2}$ SO $_{4}$ では低温相における強誘電性や超格子構造は見出されなかった。K $_{2}$ SeO $_{4}$ とK $_{2}$ SO $_{4}$ の相転移系列の著しい相違は今後の問題である。

論文

Dielectric study on the phase transitions in Cs $_{2}$ ZnI $_{4}$

下司和男

Journal of the Physical Society of Japan, 50(11), p.3535 - 3536, 1981/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.50.3535

被引用回数：34 パーセンタイル：92.32(Physics, Multidisciplinary)

硫安系結晶の一つであるCs $_{2}$ ZnI $_{4}$ の単結晶を育成し、結晶軸方向の誘電率測定を行った。110K,102K,90Kに相転移が存在することを見出した。これまでに報告されている核四重極共鳴の結果と合わせて考察を行い、この物質の逐次相転移が硫安系結晶中で新しいタイプのものである事を結論した。

論文

Dielectric properties and phase transition in Rb $_{3}$ H(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ and Rb $_{3}$ D(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ at low temperature

下司和男

Journal of the Physical Society of Japan, 50(10), p.3185 - 3186, 1981/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.50.3185

被引用回数：50 パーセンタイル：91.55(Physics, Multidisciplinary)

Rb $_{3}$ H(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ 及びその重水素化物Rb $_{3}$ D(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ の単結晶を育成し、C-面の誘電率を室温~4.2Kの温度領域にわたって測定した。軽水素塩Rb $_{3}$ H(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ の誘電率は温度降下とともに単調に増大し、4.2Kまで何らの異常を示さないのに対して、重水素塩Rb $_{3}$ D(SeO $_{4}$ ) $_{2}$ では、92Kに誘電率の極大がみられ重水素置換による相転移が導入されたことを示す。以上のふるまいは、これまでに報告したK $_{3}$ H(SO $_{4}$ ) $_{2}$ ,Rb $_{3}$ H(SO $_{4}$ ) $_{2}$ 及びそれらの重水素化塩でみられた結果と一致しており、これらのX $_{3}$ H(YZ $_{4}$ ) $_{2}$ -型化合物に共通の性質である。

論文

Dielectric study of the phase transitions in (NH $_{4}$ ) $_{3}$ H(SO $_{4}$ ) $_{2}$ at low temperatures

下司和男

Japanese Journal of Applied Physics, 19(6), p.1051 - 1053, 1980/00

https://doi.org/10.1143/JJAP.19.1051

被引用回数：46 パーセンタイル：84.84(Physics, Applied)

77K以上の温度領域で四つの相転移が知られている(NH $_{4}$ ) $_{3}$ H(SO $_{4}$ ) $_{2}$ について、77K以下4.2Kまでの低温領域での相転移の存否を誘電測定によって調べた。その結果62K附近に誘電率のピークを伴う相転移が見出された。一部分重水素置換した試料の結果と比較した結果、この相転移は、非強誘電性V相から、強誘電性VII相への転移であることが明らかになった。